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物理与电子学院“格致”论坛第三期开讲
发布时间:2021/7/7 12:16:37

  (井佳宁/文)在哈尔滨师范大学七十岁华诞到来之际,为介绍半导体氮化镓材料研究领域前沿动态,分享科学研究道路上的宝贵经验,帮助学生培养学习兴趣,深入了解物理学科,把握学科发展动态,营造良好的学术氛围,5月7日下午14:00,beat365亚洲官方网站“格致”论坛第三期在理工二号楼311室开讲。本期邀请专家为中国科学院半导体研究所研究员、中国科学院大学岗位教授、我校1996年毕业生杨少延教授,学院校友及师生代表聆听了报告。
  本次论坛的主题为“第三代半导体氮化镓材料与器件研究及技术应用探讨”,主要分为前言、氮化镓材料与器件研究、氮化镓材料与器件技术应用探讨三个部分。首先,杨少延用谦逊而通俗易懂的语言,介绍了自己的研究方向与科研道路,肯定了我国氮化镓材料的发展成果,介绍了半导体材料的物理特性、价值判据与重要意义,介绍了第一代半导体硅材料与器件技术应用,并以华为公司为例,介绍了我国应用半导体科技的功绩。其次,杨少延向我们介绍了以日本为代表的第三代半导体氮化镓材料与器件目前规模化生产技术路线,解释了蓝宝石衬底氮化镓材料与器件研究的历程,介绍了中科院MOCVD组在蓝宝石衬底氮化镓材料研究方面的有关成果,展示了硅衬底氮化镓材料与器件研究的过程与成果,介绍了大尺寸氮化镓单晶衬底材料的制备研究。最后,杨少延介绍了硅衬底氮化镓Micro-LED器件、垂直结构氮化镓功率电子器件、全光谱太阳能电池器件等氮化镓材料与器件技术应用方面的先进技术,通过晶体结构、制备结构等元素,为听众铺开了一张氮化镓材料应用的蓝图。
  本次“格致”论坛迎合了我院发展的需要,让我院师生进一步了解了目前国家在半导体材料氮化镓研究方面的科技发展事业,感受到了发展先进科技的价值,同时使大家燃起了学习物理、向先进科技事业看齐的热情,为解放同学们的思想,开阔同学们的视野,培养我院学生脚踏实地、一丝不苟做学问的进取精神发挥着重大的作用。

图-讲座现场